买卖IC网 >> 产品目录 >> NE651R479A 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE651R479A

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
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制造商 NEC/CEL
技术类型 HEMT
频率 1.9 GHz
增益 12 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 8 V
闸/源击穿电压 - 4 V
漏极连续电流 1 A
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 2.5 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 79A
相关资料
属性
链接
代理商 NE651R479A
NE651R479A-A
NE651R479A-EVPW19
NE651R479A-EVPW24
NE651R479A-EVPW26
NE651R479A-EVPW35
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  • NE651R479A 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价