买卖IC网 >> 产品目录 >> NE651R479A 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE651R479A

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
NE651R479A PDF下载
制造商 NEC/CEL
技术类型 HEMT
频率 1.9 GHz
增益 12 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 8 V
闸/源击穿电压 - 4 V
漏极连续电流 1 A
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 2.5 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 79A
相关资料
属性
链接
代理商 NE651R479A
NE651R479A-A
NE651R479A-EVPW19
NE651R479A-EVPW24
NE651R479A-EVPW26
NE651R479A-EVPW35
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市时兴宇电子有限公司 0755-83041559 彭先生
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市华雄半导体（集团）有限公司 18988598856 雷精云
深圳国芯威科技有限公司 0755-29676185 杨小小
林沃田信息技术(深圳)有限公司 0755-82781160 岳先生 田小姐
  • NE651R479A 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价